采用電泳沉積法在Ti片上制備TiN薄膜,在450℃下保溫60min制備N摻雜TiO2薄膜（N-TiO2薄膜）,然后在不同濃度的AgNO3溶液中利用光還原沉積法制備負(fù)載Ag的N-TiO2薄膜。利用X射線衍射（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）和紫外-可見吸收光譜（UV-Vis）對薄膜進(jìn)行表征,通過測試瞬態(tài)光電流密度研究薄膜的光電性能,并以羅丹明B為降解目標(biāo)物評價薄膜的光催化活性,重點(diǎn)研究了負(fù)載Ag對N-TiO2薄膜光電和光催化性能的影響規(guī)律。結(jié)果表明:AgNO3溶液濃度為0.05mol·L-1時,Ag的負(fù)載量最為適宜,N-TiO2薄膜的光電及光催化性能最佳;負(fù)載Ag的N-TiO2薄膜在可見光下的