DAMPE e + e-在1.4 TeV附近過(guò)剩可以用帶有標(biāo)量暗矩陣D的II型蹺蹺板模型來(lái)解釋?zhuān)摌?biāo)樣暗矩陣D由離散的Z2對(duì)稱(chēng)性穩(wěn)定。 最簡(jiǎn)單的情況是the沒(méi)DD→H ++ H--，然后是隨后的衰減H±±→e±e±，DM和三重態(tài)標(biāo)量均約為3 TeV，且質(zhì)量分裂較小。 除了未來(lái)100 TeV強(qiáng)子對(duì)撞機(jī)的Drell-Yan工藝外，還可以在脫殼模式下在ILC和CLIC等輕子對(duì)撞機(jī)上生產(chǎn)雙電荷組分，并介導(dǎo)違反e + e-→?i±?j?的輕子風(fēng)味 （其中i≠j）。 可以探查各種類(lèi)型的II型蹺蹺板參數(shù)空間，這些參數(shù)空間遠(yuǎn)低于當(dāng)前嚴(yán)格的輕質(zhì)風(fēng)味約束。