最小超對(duì)稱標(biāo)準(zhǔn)模型（MSSM）的框架中提供了一個(gè)中子希格斯玻色子與光子在電子-正電子碰撞中的單一產(chǎn)生的完整單環(huán)預(yù)測，并特別注意每種類型的單個(gè)貢獻(xiàn) 圖。 該過程在樹級(jí)別沒有幅度，因此對(duì)單環(huán)影響和希格斯的基本動(dòng)態(tài)直接敏感。 為了研究新物理學(xué)的影響，有四種不同的方案，其中包括質(zhì)量和耦合與發(fā)現(xiàn)的希格斯玻色子一致的希格斯玻色子，以及搜索其他希格斯玻色子和粒子邊界所允許的相當(dāng)大的參數(shù)空間 ，在MSSM中選擇。 標(biāo)準(zhǔn)模型和MSSM中橫截面對(duì)c.m的依賴性。 通過考慮初始電子束和正電子束的極化來檢查能量。 還詳細(xì)研究了每種單回路圖對(duì)總橫截面的影響。 此外，針對(duì)每種情況，在平面mA-tanβ上掃描e-e +→γ