動態RAM(DRAM)以電荷形式存儲信息的器件。 以INTEL2164為例 2164為64K×1 16根地址分為兩組 RAS（行地址有效）時， A0—A7有效 CAS（列地址有效）時， A8—A15有效 DIN為數據輸入，DOUT為數據輸出 2164內部有4個128×128的存貯矩陣 DRAM必須在2ms內對所有內存單元刷新 RAS作為刷新的選通信號 刷新時按行進行，且數據線不起作用