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動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)以電荷形式存儲(chǔ)信息的器件。 以INTEL2164為例 2164為64K×1 16根地址分為兩組 RAS(行地址有效)時(shí), A0—A7有效 CAS(列地址有效)時(shí), A8—A15有效 DIN為數(shù)據(jù)輸入,DOUT為數(shù)據(jù)輸出 2164內(nèi)部有4個(gè)128×128的存貯矩陣 DRAM必須在2ms內(nèi)對(duì)所有內(nèi)存單元刷新 RAS作為刷新的選通信號(hào) 刷新時(shí)按行進(jìn)行,且數(shù)據(jù)線不起作用

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